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在高速时钟电路中，尤其要注意元件的RF去耦问题。究其原因，主要是因为元件会把一部分能量耦合到电源/地系统之中。这些能量以共模或差模RF的形式传播到其他部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自激频率更大的频率，这样可选择一个自激频率在10～30 MHz，边沿速率是2 ns或者更小的电容。同理可知，由于许多PCB的自激范围是200～400 MHz，当把PCB结构看做一个大电容时，可以选用适当的去耦电容。
在高速时钟电路中，尤其要注意元件的RF去耦问题。究其原因，主要是因为元件会把一部分能量耦合到电源/地系统之中。这些能量以共模或差模RF的形式传播到其他部件中。陶瓷片电容需要比时钟电路要求的自激频率更大的频率，这样可选择一个自激频率在10～30 MHz，边沿速率是2 ns或者更小的电容。同理可知，由于许多PCB的自激范围是200～400 MHz，当把PCB结构看做一个大电容时，可以选用适当的去耦电容，增强EMI的抑制。表5－1和表5－2所示给出了电容选择方面有用的数据。从这两个表中，可以知道由于引线中不可避免存在较小电感，表面安装元件具有更高的（大约两个数量级）自激频率。
铝电解电容不适用于高频去耦，主要用于电源或电力系统的滤波。
由实际经验可知，选择不同去耦电容的依据，通常是根据时钟或处理器的第一谐波来选择。但是，町电流是由3次或5次谐波产生的，此时就应该考虑这些谐波，采用较大的分立电容去耦。在达到200～300 MHz以上频率的电流工作状态后，0.1μF与0.01μF并联的去耦电容由于感性太强，转换速度缓慢，不能提供满足需要的充电电流。
在PCB上放置元件时，必须提供对高频RF的去耦。必须确保所选去耦电容能满足可能的要求。考虑自激频率的时候需要考虑对重要谐波的抑制，一般考虑到时钟的5次谐波。以上这些要点对高速时钟电路尤为重要。
对去耦电容容抗的计算是选择去耦电容的基础，表示为
其中，Xc是容抗（Ω）；f是谐振频率（Hz）；C为电容大小。
选择去耦电容的关键是计算所用电容的容值大小，这里向大家介绍常在高速电路里使用的波形法。
如图1所示，逻辑状态由0转换到1，实际的时钟边沿速率发生了变化。虽然切换位置仍然保持不变，但t1、t2，已改变，这是因为电容充、放电使信号边沿变化变缓的原因。
图1 时钟信号的容性影响
利用表的公式可以计算图1中的时钟边沿变化率。在设计时要注意的是，必须确保最慢的边沿变化率不会影响其工作性能。
傅里叶分析可以从时域到频域对信号进行分析。在射频（RF）频谱分布中，射频能量随频率下降而减少，从而改善了电磁干扰（EMI）的性能。
表 电容方程
在计算去耦电容之前，需要先画出戴维宁等效电路。总的阻抗值等于电路中两个电阻的并联。假定图2所示的戴维宁等效电路中，ZＳ＝150Ω，ZL＝1.0 kΩ，那么
图2 戴维宁等效电路
方法一：在已知时钟信号的边沿速率时，用式（5－9）来计算。
其中，当信号的边沿速率tr，单位为ns时，电容最大值Cmax，单位为nF；当tr，单位为ps时，Cmax，单位为pF；R1为网络的总电阻，单位为Ω。
由式（5－9）可知，必须选择适当的电容，使当tr＝3.3RC时满足信号上升/下降沿的需要。选择不当会引起基线漂移。这里的基线就是判断逻辑1或0的稳态电平。3.3是时间常数，其3倍等于一个上升时间。
例：（1）如果设计信号的边沿速率为10 ns，电路等效阻抗为130Ω，计算最大电容值为
（2）某信号上、下沿均为8.33ns：频率为80MHz；R为典型的TTL巴参数33Ω；则tr＝tf＝3.3 ns（为上、下沿的1/4）。计算最大电容值为
方法二：首先决定所要滤除的最高频率，然后用式（5－10）获得在最小信号畸变情况下的最大电容值。
例：在Rt＝130Ω的情况下，滤除一个50MHz的信号，在忽略源内阻Zc时，求Cmin。
在使用去耦旁路电容时，需要考虑以下几点：
· 使电容的引线最短，线路电感最小。
· 选择适合的额定电压和介电常数的电容。
· 如果边沿速率的畸变容许3倍于C的大小，应使用大一级的电容标称值。
· 电容安装好后，必须检查是否工作正常。
· 太大的电容会导致信号的过大畸变。