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严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，是Double Data Rate SDRAM(synchronous dynamic random access memory，同步动态随机存储器)的缩写，同步是指其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同，动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失，随机是指数据可随机存储和访问。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。
DRAM制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1％的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变，所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新：执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。
接着说明几个SDRAM的概念：
1，物理BANK：传统内存系统为了保证CPU 的正常工作，必须一次传输完CPU 在一个传输周期内所需要的数据。那时的内存必须要组织成P-Bank 来与CPU 打交道，所以会出现两根32bit的内存搭配才能跟64bit的奔腾CPU开机成功。
2，芯片位宽：为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。组成64bit，对于16bit芯片，需要4 颗（4×16bit=64bit）。对于8bit 芯片，则就需要8 颗了。
3，逻辑BANK：Logical Bank，SDRAM 的内部是一个存储阵列。阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。单一的L-Ban k将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率，所以人们在内部分割成多个L-Bank。
4，内存芯片容量：存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量，比如128Mbit：2M x 16Bit x 4 Banks：第一个数目是行列相乘的矩阵单元数目，第二个数目是单个存储体的位宽，第三个是逻辑BANK数目。
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DDR的寄存器控制和初始化等，都是通过若干控制脚一起协作完成的，控制的方式依照一个truth table。一般是配置好DDR控制器的参数后，就不再需要人工干预。
