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Everspin MRAM芯片MR20H40CDFR NETSOL高效替代方案
在工业控制、智能仪表和数据记录仪等应用中对存储器提出非易失性、近乎无限的读写耐久性和极低写入延迟的严苛要求。MRAM芯片凭借其独特的磁性存储原理正逐步取代传统的EEPROM、闪存及FeRAM。1、Everspin MR20H40CDFR规格与优势①MR20H40CDFR是Everspin推出的一款4Mb串行SPI MRAM芯片组织方式为512Kx8位采用3.3V电源供电封装为紧凑的8-DFN。②无延迟写入与需页编程或擦除操作的闪存不同MRAM芯片MR20H40CDFR支持随机地址即时写入无需等待显著提升数据记录效率。③近乎无限的耐久性支持无限次读写操作彻底解决了EEPROM或闪存在频繁数据记录场景下因擦写次数限制而导致的磨损失效问题。④长期数据保持保证数据在工业温度范围内可靠保存超过20年。⑤简易替换性MRAM芯片SPI接口与读写时序兼容串行EEPROM和闪存便于硬件升级。2、NETSOL系列MRAM芯片Everspin MRAM高性价比的灵活替代选择对于寻求Everspin MRAM替代方案、优化供应链或比较成本的客户RAMSUN代理NETSOL品牌MRAM提供了极具竞争力的选择。NETSOL产品线与Everspin高度重叠尤其在SPI接口系列中能找到与MR20H40CDFR功能对应的型号。韩国NETSOL的STT-MRAM产品线里串行SPI系列就是针对Everspin同类型MRAM芯片做的替代。以4Mb档位为例NETSOL S3A4004V0M同为4Mbit支持单/双/四线SPI工作电压2.73.6V与3.3V系统完全兼容SDR时钟达108MHz提供8WSON、8SOP工业封装温度范围-40℃到85℃。封装与引脚贴近主流规格硬件基本可直替无需重新设计板卡。从1Mb到32MbS3A系列档位齐全交期和成本通常更从容。MRAM芯片选型先把引脚兼容、温度范围、数据保持时间对齐再按读写频率取舍。